| 型号： | STS19N3LLH6 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | STMicroelectronics | 描述： | MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| STS19N3LLH6 PDF |  |
| 其它有关文件 | STS19N3LLH6 View All Specifications |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | STripFET™ DeepGATE™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5.6 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | 497-12677-1 |